电流驱动电流检测电路详解，如何使用分流电压作为输入电压，

电流驱动电流检测电路详解，如何使用分流电压作为输入电压，

基本电路

根据图2的实施高边电流检测的基本完整电路，需要考虑的细节有：

运放必须是轨对轨输入，或有一个包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算放大器可实现最小偏移量。但请记住，即使使用零漂移轨对轨运放，在较高的共模范围内运行通常不利于实现最低偏移。

MOSFET漏极处的输出节点由于正电压的摆动而受到限制，其幅度小于分流电源轨或小于共模电压。增加增益缓冲器可以降低该节点处电压摆幅的要求。

该电路在死区短路时不具备低边检测或电流检测所需的零伏特共模电压能力。在图2的电路中，最大共模电压等于运算放大器的最大额定电源电压。

该电路是单向的，只能测量一个方向的电流。

共模抑制比(CMRR)一般由放大器的共模抑制能力决定。MOSFET也对CMRR有影响，漏电的或其他劣质的MOSFET可降低CMRR。

【图2、最简单的方法是使用电源电压额定值内的运算放大器。可通过RGAIN/RIN被配置为增益50。】

性能优化

一个完全缓冲的输出总是比图2的高阻抗输出要灵活得多，并且在缓冲器中提供2的轻微增益，可降低第一级和MOSFET的动态范围要求。

VREFOUT=VREF *(RGAIN/ROS)*ABUFFER

(其中ABUFFER是缓冲增益)

注意，在所有后续电路中，双向电路是可选的，对于单向电路可以省略。

【图3、此版本增加了缓冲输出和双向检测能力。它提供了一个参考输入，即使在RIN 1和RIN 2值所确定的不同增益设置下，它也总是以单位增益运行。】

在高共模电压下使用

另一个二极管D1已出现在高压版本中。这个二极管是必要的，因为一个接地的短路电路最初在负载处会把非逆变输入拉至足够负(与放大器负供电轨相比)，这将损坏放大器。二极管限制这种情况以保护放大器。

【图4、高压电路“浮动”运放，其齐纳电源在负载电压轨】

该电路其它鲜为人知的应用

我不确定是否有人使用电流检测MOSFET。在几年前的一些实验室研究中，我确信，一旦校准，MOSFET电流检测是非常精确和线性的，但它们有约400 ppm的温度系数。尽管如此，最佳的电路结构迫使检测电极在与MOSFET的源电压相同的电压下工作，同时输出部分电流。图5显示了如何使用电流驱动电路来实施。

【图5、MOSFET检测FET电路】