维信诺展示在“终极全面屏”上两个向度的创新突破

维信诺展示在“终极全面屏”上两个向度的创新突破

自手机摆脱机械按键进入触屏时代以来，“更大屏幕”便成为了产业界孜孜不倦追求的永恒命题，产业界开始了不断提高屏占比的探索，并向“终极全面屏”发起了冲击，在这其中，便以HIAA极致开孔、屏下摄像、极窄边框为主要突破点。

此次SID DW2021上，维信诺以HIAA极致开孔、InV see Pro屏下摄像解决方案，展示了在“终极全面屏”上两个向度的创新突破：保留前置开孔时，将孔边框降低至极限；将摄像头至于屏幕下方时，全面提高显示与拍照平衡的屏幕综合性能。

终极全面

HIAA极致开孔

不同阵列结构设计对“开孔孔径vs孔边框变化”的影响

终极全面

InVseePro屏下摄像解决方案

InV see Pro屏下摄像解决方案，是在InV see全球首创的“一驱多”阵列设计基础上，进一步提高像素密度，同时扩大透光通道，使显示效果和屏幕透过率的完美平衡再次升级。

维信诺InV see Pro屏下摄像创新方案专利池覆盖阵列设计、OLED、像素排布、材料、驱动等多个屏下摄像核心领域。维信诺于2007年开始PMOLED透明屏研究，奠定了屏下摄像初步探索方向，并在AMOLED时代继续创新衍生，目前已历经多次技术及工艺创新迭代。

对于未来创新视界，此次SID DW2021上，维信诺也展示了Micro-LED自主创新的研究成果——TFT背板、巨量转移、驱动算法及模组形态，这些技术将共同组成维信诺Micro-LED新型显示量产解决方案，敬请期待……

原文标题：维信诺@SID DW2021丨极致全面·探索未来