四维图新荣登汽车领跑者榜单 瑞萨电子开发嵌入式STT-MRAM写入技术

四维图新荣登汽车领跑者榜单 瑞萨电子开发嵌入式STT-MRAM写入技术

四维图新荣登汽车领跑者榜单

近日，2021未来汽车生态大会云端召开，同期发布 “汽车领跑者”榜单，四维图新凭借新品——动态风险预警平台，荣登“2021汽车领跑者榜单·最佳产品/解决方案/创新应用”奖。该榜单聚焦汽车行业新生态，成为行业风向标。

瑞萨电子公司是先进半导体解决方案的主要供应商，宣布开发出两种技术，可减少自旋转移矩磁性随机存取存储器 （STT-MRAM） 写入操作的能量和电压应用时间，以下简称 MRAM）。在 16 nm FinFET 逻辑工艺中嵌入 MRAM 存储单元阵列的 20 兆位 （Mbit） 测试芯片上，写入能量减少了 72%，电压施加时间减少了 50%。新技术是： 1） 带有斜率脉冲应用的自终止写入方案，其中写入脉冲由于每个存储单元的写入特性而自动且自适应地终止；2） 优化比特数的写入序列，同时施加写入电压。

综合四维图新和瑞萨电子官网整合