高迁移率二维半导体Bi2O2Se的紫外光辅助插层氧化方法

网友投稿 754 2023-01-01

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图1.单晶自然氧化物栅介质β-Bi2SeO5的制备与性质。（a）二维Bi2O2Se紫外光辅助插层氧化转化为单晶栅介质β-Bi2SeO5示意图；（b）晶圆级区域选择性制备二维Bi2O2Se/Bi2SeO5异质结；（c）二维Bi2O2Se/Bi2SeO5异质结界面结构；（d）β-Bi2SeO5的等效厚度（EOT：等效氧化层厚度；ECT：等效电容厚度）及绝缘性与其他栅介质的对比。

审核编辑：李倩

标签：方法