中国首款64层三维闪存芯片发布 中国迈出打破美日韩垄断的关键一步

中国首款64层三维闪存芯片发布 中国迈出打破美日韩垄断的关键一步

紫光集团旗下长江存储近日宣布，已开始量产基于自主研发Xtacking架构的64层三维闪存（3DNAND），容量为256Gb，以满足固态硬盘（SSD）嵌入式存储等主流市场应用的需求，这也是中国首款64层三维闪存芯片，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内，被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

据媒体报道，上海中国国际半导体博览会举行前夕，公司宣布已开始量产基于XtackingR架构的64层“三阶储存单元”3DNAND闪存。作为中国首款64层3DNAND闪存，该产品将亮相博览会紫光集团展台。

所谓3DNAND是通过将原本平铺的储存单元堆叠起来，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层或更多层。

缩短产品上市周期

长江存储相关负责人向媒体表示，长江存储64层三维闪存产品的量产，将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。

明年底月产六万片晶圆

业界有关人士分析，长江储存发展迅速，但目前表态保守，其虽然未公布量产规模，预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。

据报道，长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8％提升至40％。在美日韩大厂垄断下，长江存储的64层3DNAND闪存量产消息别具意义。

业界预测，长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存，实现弯道超车。据悉，长江存储已推出Xtacking2．0规划，借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等，相关产品将被广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。