英特尔技术重大突破:三维结构晶体管

英特尔技术重大突破:三维结构晶体管

英特尔提供的数据显示，与该公司的32纳米芯片中采用的二维晶体管相比，三维晶体管在低电压下性能可提高37%，完成同样工作的能耗可降低一半。但在成本上，相比过去传统的平面型晶体管，三维晶体管的成本要高2%-3%。

英特尔宣布上述消息的当天，英特尔的供应制造设备的应用材料公司宣布，计划斥资49亿美元收购Varian Semiconductor Equipment，以期具备处理比目前22纳米芯片更复杂的芯片的能力，跟上三维晶体管这一英特尔开发了近10年之久的新技术。

不过，iSuppli高级分析师顾文军昨天表示，英特尔称新产品是革命性创新有些言过其实，三维芯片还是沿袭了之前低功耗、生产制程更先进的技术思路，“有突破但不能说革命性的”。

台湾芯片制造商台积电公司昨日就表示，在二维芯片容量达到极限之前，公司不会启用三维晶体管技术，而且三维技术的基础条件尚不成熟。

Matrix分析师阿德里安说：“英特尔显然想跳出PC市场的范围。关键问题是‘它们能推出一款处理器，足够强大，可以在移动计算领域一争高下吗?’”

花旗集团分析师格伦·扬(Glen Yeung)对英特尔的新技术则赞不绝口。他认为，英特尔在芯片制造上有3-4年优势。