带隙基准电路_cmos无运放带隙基准源

带隙基准电路_cmos无运放带隙基准源

常规的带隙基准电路

图1两种常规的带隙基准电路

cmos无运放带隙基准源

本文在图1（B）常规电流镜带隙基准电路的基础上，提出一种新型带隙基准电路，如图2所示。

图2 新型带隙基准电压源

启动电路

因为带隙电路中存在简并偏置点，当电源上电时，有可能出现所有支路都传输零电流的情况，使整个电路不能正常工作。因此，需要启动电路让电路在上电时摆脱简并偏置点。

图2电路中的M9～M14和Q5组成启动电路。刚接通电源时，节点⑥为低电平。M9导通，给节点⑥充电。当节点⑥电压升到一定高度时，整个带隙基准电路开始正常工作，同时导致（6）式成立，从而在电路正常工作时M9处于截止状态。启动电路不再对电路产生影响，完成电路的启动。

基准电压产生电路

（7）式得到的正温度系数电流IPTAT被镜像到M８，Q4，R2支路。通过该电流流过R2产生的电压和VEB4相加，得到所要的带隙基准电压。

但是，实际电路会与这个比值有所偏差。最终电路得到了约1．25V的基准电压。

下面分析电路中两个支路的反馈作用。

首先分析2M6M7所在反馈支路。假设节点2电压升高V，节点6电压变化为：

由（14），（15）式得，V经过M5支路反馈后返回到节点2的电压变化量为：

从（13）和（16）式可以看出，这两个支路反馈回来的电压量V2均与－V成正比，所以是负反馈。这两路负反馈使电路比普通结构有更大的环路增益，从而提高了环路的抗干扰能力和电路的电源抑制比，减小了常规结构中沟道调制效应对基准源精度的影响。